|
Номер
№ |
Назад
Back |
Описание
Description |
| 1 |
Back |
with integrated damper diode
с интегрированным демпферным диодом |
| 2 |
Back |
damper diode between emitter and collector necessary externally
с демпферным диодом между эмиттером и коллектором |
| 3 |
Back |
not insulated case
с неизолированным корпусом |
| 4 |
Back |
different case-possibly mechanical adaption necessary
с различием в корпусах |
| 5 |
Back |
the differing pin asgegnment posgebly requires different assembly
отличия в выводах |
| 6 |
Back |
alternate type is a little larger or with a different pin-spacing
альтернативных типов намного больше |
| 7 |
Back |
alternate type with lower maximum ratings
альтернативные типы с более низкими максимальными параметрами |
| 8 |
Back |
lower transition frequency
с более низкими граничными частотами |
| 9 |
Back |
also with other gate trigger current (see tht)
с наличием других вентелей |
| 10 |
Back |
alternate IC is not pin-compatible or with a different pin-spacing
несовместимы по выводам или другое их расположение |
| 11 |
Back |
also with other gate trigger current (see tht) and the alternate type with different case
с другим током отпирания управляющего электрода и аналог с другим корпусом |
| 12 |
Back |
-
с температурными различиями |
| 13 |
Back |
lower forward current gain (B,hfe)
с меньшим коэффициентом усиления по току |
| 14 |
Back |
-
отличие в параметрах |
| 15 |
Back |
with integrated damper diode || the differing pin asgegnment posgebly requires different assembly
с интегрированным демпферным диодом || отличия в выводах |
| 16 |
Back |
equivalent type with limited temperature range
эквивалент с ограниченным диапазоном температур |
| 17 |
Back |
higher saturation voltage
с более высоким напряжением насыщения |
| 18 |
Back |
suitable resistor required externally
с подбором внешних резисторов |
| ВВЕРХ |
|
